ZXM61P02FTA 与 IRLML6302TRPBF 区别
| 型号 | ZXM61P02FTA | IRLML6302TRPBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-ZXM61P02FTA | A-IRLML6302TRPBF | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ZXM61P02F Series 20V 0.6 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-23 | Single P-Channel 20 V 540 W 2.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 600mΩ@610mA,4.5V | 600mΩ@610mA,4.5V | ||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 625mW(Ta) | 540mW(Ta) | ||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±12V | ||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 0.9A | 0.78A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 150pF @ 15V | 97pF @ 15V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.5nC @ 4.5V | 3.6nC @ 4.45V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.7V,4.5V | 2.7V,4.5V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 97pF @ 15V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 3.6nC @ 4.45V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 13,775 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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ZXM61P02FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 625mW(Ta) 600mΩ@610mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 0.9A |
￥0.8569
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13,775 | 当前型号 | ||||||
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IRLML6302TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 600mΩ@610mA,4.5V P-Channel 20V 0.78A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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