ZXM61N03FTA 与 RUR020N02TL 区别
| 型号 | ZXM61N03FTA | RUR020N02TL | ||||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-ZXM61N03FTA | A33-RUR020N02TL-2 | ||||||||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||||||||||
| 描述 | ZXM61N03F 30 V 0.22 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23 | RUR020N02 Series 20 V 2 A 2 nC Surface Mount N-Channel Mosfet - TSMT-3 | ||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 220mΩ@910mA,10V | 105mΩ@2A,4.5V | ||||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 20V | ||||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 625mW(Ta) | 540mW(Ta) | ||||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±10V | ||||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | TSMT | ||||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.4A(Ta) | 2A | ||||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1V @ 1mA | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 150pF @ 25V | 180pF @ 10V | ||||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4.1nC @ 10V | 2nC @ 4.5V | ||||||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 1.5V,4.5V | ||||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||||
| 库存 | 22,151 | 19,416 | ||||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
1.4A(Ta) ±20V 625mW(Ta) 220mΩ@910mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V |
￥0.9383
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22,151 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥0.7139
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42,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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19,416 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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5,772 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSF014N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 800mW(Ta) 240mΩ@1.4A,10V 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 1.4A |
￥2.6256
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2,490 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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423 | 对比 |
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