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ZVP4525ZTA  与  BSS192PH6327FTSA1  区别

型号 ZVP4525ZTA BSS192PH6327FTSA1
唯样编号 A36-ZVP4525ZTA A-BSS192PH6327FTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-CH 250V 205MA SOT89-3 MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 250V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 14Ω@200mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 73 pF @ 25 V 104pF @ 25V
栅极电压Vgs ±40V -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 3.45 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-89-3 TO-243AA
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 205mA(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 130uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.1nC @ 10V
驱动电压 3.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 12 欧姆 @ 190mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 190mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.8V,10V
漏源电压(Vdss) - 250V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZVP4525ZTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1.2W(Ta) ±40V SOT-89-3 -55℃~150℃(TJ) 250V 205mA(Ta)

暂无价格 0 当前型号
BSS192,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSS192_SOT89 P-Channel 12Ω@200mA,10V 0.56W -55°C~150°C ±20V -240V -0.34A

¥1.5466 

阶梯数 价格
260: ¥1.5466
500: ¥1.3107
1,000: ¥1.2025
0 对比
BSS192,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSS192_SOT89 P-Channel 12Ω@200mA,10V 0.56W -55°C~150°C ±20V -240V -0.34A

暂无价格 0 对比
BSS192PH6327FTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS192P H6327_P 通道 TO-243AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSS192P H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS192PH6327FTSA1_-250V -190mA 7.7Ω 20V 1W P-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
BSS192,135 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSS192_SOT89 P-Channel 0.56W 150℃ 20V -240V -0.34A

¥1.5991 

阶梯数 价格
1,010: ¥1.5991
2,000: ¥1.3107
4,000: ¥1.2025
0 对比

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