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ZVP3310FTA  与  BSR316PL6327HTSA1  区别

型号 ZVP3310FTA BSR316PL6327HTSA1
唯样编号 A36-ZVP3310FTA A-BSR316PL6327HTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3 MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 20Ω@150mA,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 330mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 165pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.075A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1V @ 170uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.8 欧姆 @ 360mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 360mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 6,455 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥1.122
200+ :  ¥0.8646
1,500+ :  ¥0.7535
3,000+ :  ¥0.6556
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZVP3310FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 330mW(Ta) 20Ω@150mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 100V 0.075A

¥1.122 

阶梯数 价格
50: ¥1.122
200: ¥0.8646
1,500: ¥0.7535
3,000: ¥0.6556
6,455 当前型号
BSR316PL6327HTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

P 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

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