尊敬的客户:端午节5月31日至6月2日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > ZVN4525E6TA代替型号比较

ZVN4525E6TA  与  RDR005N25TL  区别

型号 ZVN4525E6TA RDR005N25TL
唯样编号 A36-ZVN4525E6TA A-RDR005N25TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 MOSFET N-CH 250V 500MA TSMT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 540mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 250V -
Pd-功率耗散(Max) 1.1W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8.5Ω@500mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 72 pF @ 25 V 70pF @ 25V
栅极电压Vgs ±40V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 3.65 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-6 TSMT3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 230mA(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
驱动电压 2.4V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.8 欧姆 @ 250mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 500mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 250V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 3.5nC @ 10V
库存与单价
库存 1,124 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.179
100+ :  ¥2.541
750+ :  ¥2.277
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZVN4525E6TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.1W(Ta) ±40V SOT-23-6 -55℃~150℃(TJ) 250V 230mA(Ta)

¥3.179 

阶梯数 价格
20: ¥3.179
100: ¥2.541
750: ¥2.277
1,124 当前型号
RDR005N25TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TSMT3

¥0.9724 

阶梯数 价格
60: ¥0.9724
200: ¥0.748
1,500: ¥0.6501
3,000: ¥0.605
50,006 对比
RDR005N25TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TSMT3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售