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ZVN4310GTA  与  BSP296NH6327XTSA1  区别

型号 ZVN4310GTA BSP296NH6327XTSA1
唯样编号 A36-ZVN4310GTA A-BSP296NH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223 MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.8W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 540mΩ@3.3A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 350 pF @ 25 V 152.7pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT-223-3 TO-261-4,TO-261AA
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.67A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.8V @ 100uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.7nC @ 10V
驱动电压 5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 600 毫欧 @ 1.2A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.2A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 55 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.752
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZVN4310GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 1.67A(Ta)

¥4.752 

阶梯数 价格
20: ¥4.752
55 当前型号
BSP296NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP296N H6327_N 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSP296N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP296NH6327XTSA1_100V 1.2A 329mΩ 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
AOH3110 AOS  数据手册 功率MOSFET

1A(Ta) N-Channel ±20V 700 mΩ @ 900mA,10V SOT-223 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比

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