UMH4NTN 与 NSVMUN5215DW1T1G 区别
| 型号 | UMH4NTN | NSVMUN5215DW1T1G | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-UMH4NTN | A-NSVMUN5215DW1T1G | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | UMH4N Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN Digital Transistor - SC-88 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | - | ||||||
| 特征频率fT | 250MHz | - | ||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | - | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||
| VCBO | 50V | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||
| VEBO | 5V | - | ||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | - | ||||||
| 直流电流增益hFE | 100 | - | ||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | - | ||||||
| 晶体管类型 | NPN | - | ||||||
| R1 | 10K Ohms | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 7,738 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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UMH4NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA 300mV 100 250MHz NPN |
￥0.2461
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7,738 | 当前型号 | ||||||||
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DCX114TU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 100 SOT-363 200mW 50V 100mA 250MHz NPN+PNP |
￥0.3952
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2,200 | 对比 | ||||||||
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DCX114TU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 100 SOT-363 200mW 50V 100mA 250MHz NPN+PNP |
￥0.2514
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494 | 对比 | ||||||||
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PUMH4,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 150mV 200 车规 2NPN |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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PUMD4,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 150mV 200 NPN+PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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NSVMUN5215DW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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