TS512IDT 与 MC33178DR2G 区别
| 型号 | TS512IDT | MC33178DR2G | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-TS512IDT | A36-MC33178DR2G | ||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 运算放大器 | 运算放大器 | ||||||||||
| 描述 | IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 电压 - 电源，单/双（±） | - | 4 V ~ 36 V,±2 V ~ 18 V | ||||||||||
| 电流-输出/通道 | - | 100mA | ||||||||||
| 电压-电源，单/双（±） | - | 4 V ~ 36 V,±2 V ~ 18 V | ||||||||||
| 电流 - 输出/通道 | - | 100mA | ||||||||||
| 压摆率 | - | 2 V/µs | ||||||||||
| 电压 - 输入失调 | - | 1.5mV | ||||||||||
| 电流-输入偏置 | - | 100nA | ||||||||||
| 电流 - 电源 | - | 1.7mA | ||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | ||||||||||
| 工作温度 | - | -40°C~85°C | ||||||||||
| 电流 - 输入偏置 | - | 100nA | ||||||||||
| 电压-输入失调 | - | 1.5mV | ||||||||||
| 电流-电源 | - | 1.7mA | ||||||||||
| 电路数 | - | 2 | ||||||||||
| 增益带宽积 | - | 5MHz | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 28 | 10,056 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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TS512IDT | STMicro | 数据手册 | 运算放大器 |
SO-8 |
￥4.785
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28 | 当前型号 | ||||||||||
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BA4560RF-E2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOIC |
￥0.7139
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20,347 | 对比 | ||||||||||
|
MC33178DR2G | ON Semiconductor | 运算放大器 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
￥0.9339
|
10,056 | 对比 | |||||||||||
|
MC33072ADR2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOIC |
￥1.111
|
9,578 | 对比 | ||||||||||
|
AS358AMTR-G1 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOIC |
￥0.5863
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7,098 | 对比 | ||||||||||
|
BA4560F-E2 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 运算放大器 |
8-SOP |
暂无价格 | 5,030 | 对比 |
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