TPH1R403NL,L1Q(M 与 SIRA02DP-T1-GE3 区别
| 型号 | TPH1R403NL,L1Q(M | SIRA02DP-T1-GE3 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-TPH1R403NL,L1Q(M | A3t-SIRA02DP-T1-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | Toshiba | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOP Advance | PowerPAK® SO-8 | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 60A | 50A(Tc) | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.4mΩ@30A,10V | 2 mOhms @ 15A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 64W | 5W(Ta),71.4W(Tc) | ||||||||||
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V | ||||||||||
| Vgs(th) | - | 2.2V @ 250uA | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 15,445 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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TPH1R403NL,L1Q(M | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOP Advance N-Channel 64W 1.4mΩ@30A,10V 150°C ±20V 30V 60A |
￥2.706
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15,445 | 当前型号 | ||||||||||||
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SIRA02DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
50A(Tc) N-Channel 2 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),71.4W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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