首页 > 商品目录 > > > > SUP85N10-10-E3代替型号比较

SUP85N10-10-E3  与  TK40E10N1,S1X  区别

型号 SUP85N10-10-E3 TK40E10N1,S1X
唯样编号 A36-SUP85N10-10-E3 A-TK40E10N1,S1X
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 0.0014 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB MOSFET N CH 100V 90A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5 mOhms @ 30A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V 100 V
Pd-功率耗散(Max) 3.75W(Ta),250W(Tc) 126W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 8.2 毫欧 @ 20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3000 pF @ 50 V
Vgs(th) 3V @ 250uA 4V @ 500uA
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 49 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
连续漏极电流Id 85A(Tc) 90A(Tc)
工作温度 -55℃~175℃ 150°C(TJ)
Vgs(最大值) ±20V ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUP85N10-10-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

85A(Tc) N-Channel 10.5 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220-3 -55℃~175℃ 100V

暂无价格 0 当前型号
IRFB4410ZGPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB

暂无价格 0 对比
TK40E10N1,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 126W(Tc) TO-220 150°C(TJ) 100 V 90A(Tc)

暂无价格 0 对比
AOT418L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 100V 25V 105A 333W 10mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRFB4410ZG Infineon  数据手册 功率MOSFET

9mΩ 100V TO-220 N-Channel 20V 97A

暂无价格 0 对比
AOT418L_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

9.5A(Ta),105A(Tc) N-Channel ±25V 10 mΩ @ 20A,10V TO-220 2.1W(Ta),333W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售