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SUM90142E-GE3  与  IRF200S234  区别

型号 SUM90142E-GE3 IRF200S234
唯样编号 A36-SUM90142E-GE3 A-IRF200S234
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-Chan 200V D2PAK (TO-263)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@30A,10V 14mΩ
上升时间 - 58ns
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 417W
Qg-栅极电荷 - 162nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 96S
典型关闭延迟时间 - 67ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 -
连续漏极电流Id 90A(Tc) 90A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
系列 ThunderFET® -
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3120pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 87nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 7.5V,10V -
下降时间 - 37ns
典型接通延迟时间 - 21ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUM90142E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 200V 90A(Tc) ±20V 375W(Tc) 15mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IRF200S234 Infineon  数据手册 功率MOSFET

200V 90A 14mΩ 20V 417W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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