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SUM55P06-19L-E3  与  IRF4905STRLPBF  区别

型号 SUM55P06-19L-E3 IRF4905STRLPBF
唯样编号 A36-SUM55P06-19L-E3 A-IRF4905STRLPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 0.019 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-263 Single P-Channel 55 V 3.8 W 180 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 19 mOhms @ 30A,10V 20mΩ@42A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 3.75W(Ta),125W(Tc) 170W(Tc)
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-263AB TO-263
连续漏极电流Id 55A(Tc) 74A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3500pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 180nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3500pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 180nC @ 10V
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUM55P06-19L-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

55A(Tc) P-Channel 19 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),125W(Tc) TO-263AB -55℃~175℃ 60V

暂无价格 0 当前型号
IRF4905STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@42A,10V P-Channel 55V 74A TO-263

暂无价格 800 对比
AOB411L_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

8A(Ta),78A(Tc) P-Channel ±20V 16.5 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 187W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比
AOB411L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 P-Channel -60V ±20V -78A 187W 16.5mΩ@-20A,-10V -55℃~175℃

暂无价格 0 对比
AOB411L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 P-Channel -60V ±20V -78A 187W 16.5mΩ@-20A,-10V -55℃~175℃

暂无价格 0 对比
AUIRF4905S Infineon  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 55V 42A(Tc) ±20V 200W(Tc) 20mΩ@42A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK 车规

暂无价格 0 对比

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