SUD19P06-60-GE3 与 NTD2955T4G 区别
| 型号 | SUD19P06-60-GE3 | NTD2955T4G | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-SUD19P06-60-GE3-1 | A36-NTD2955T4G | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60 mOhms @ 10A,10V | 180mΩ@6A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.3W(Ta),38.5W(Tc) | 55W(Tj) | ||||||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 18.3A(Tc) | 12A(Ta) | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C(TJ) | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 750pF @ 25V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 750pF @ 25V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 17 | 13,804 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 17 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
￥3.19
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7,289 | 对比 | ||||||||||||||||
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ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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ZXMP6A18KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.15W(Ta) 55mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 10.4A |
￥2.4888
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0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD140P06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 CPT3 |
￥6.1232
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19,866 | 对比 | ||||||||||||||||
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
￥2.189
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13,804 | 对比 |
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