首页 > 商品目录 > > > > SUD19P06-60-E3代替型号比较

SUD19P06-60-E3  与  DMPH6050SK3Q-13  区别

型号 SUD19P06-60-E3 DMPH6050SK3Q-13
唯样编号 A36-SUD19P06-60-E3 A3-DMPH6050SK3Q-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 mOhms @ 10A,10V 50mΩ@7A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta),38.5W(Tc) 1.9W(Ta)
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id 18.3A(Tc) 7.2A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~175°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1377pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
2,500+ :  ¥1.2088
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD19P06-60-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55℃~150℃ 60V

暂无价格 0 当前型号
DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.9W(Ta) 50mΩ@7A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 7.2A 车规

¥2.145 

阶梯数 价格
30: ¥2.145
100: ¥1.65
1,250: ¥1.441
2,500: ¥1.375
5,237 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) 65mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 55V 31A

暂无价格 2,000 对比
DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.9W(Ta) 50mΩ@7A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 7.2A 车规

暂无价格 0 对比
DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.9W(Ta) 50mΩ@7A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 7.2A 车规

¥1.2088 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.2088
0 对比
AUIRFR5305TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

55V 3.1A 65mΩ 20V 110W P-Channel -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售