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SUD19P06-60-E3  与  AUIRFR5305TR  区别

型号 SUD19P06-60-E3 AUIRFR5305TR
唯样编号 A36-SUD19P06-60-E3 A-AUIRFR5305TR
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 mOhms @ 10A,10V 65mΩ
上升时间 - 66ns
漏源极电压Vds 60V 55V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta),38.5W(Tc) 110W
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 39ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252 -
连续漏极电流Id 18.3A(Tc) 3.1A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
长度 - 6.5mm
Vgs(最大值) ±20V -
下降时间 - 63ns
典型接通延迟时间 - 14ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD19P06-60-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55℃~150℃ 60V

暂无价格 0 当前型号
DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.9W(Ta) 50mΩ@7A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 7.2A 车规

¥2.145 

阶梯数 价格
30: ¥2.145
100: ¥1.65
1,250: ¥1.441
2,500: ¥1.375
5,237 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) 65mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 55V 31A

暂无价格 2,000 对比
DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.9W(Ta) 50mΩ@7A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 7.2A 车规

暂无价格 0 对比
DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.9W(Ta) 50mΩ@7A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 7.2A 车规

¥1.2088 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.2088
0 对比
AUIRFR5305TR Infineon  数据手册 功率MOSFET

55V 3.1A 65mΩ 20V 110W P-Channel -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 对比

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