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SUD09P10-195-GE3  与  DMP10H400SK3-13  区别

型号 SUD09P10-195-GE3 DMP10H400SK3-13
唯样编号 A36-SUD09P10-195-GE3 A36-DMP10H400SK3-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 195 mOhms @ 3.6A,10V 240mΩ@5A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),32.1W(Tc) 42W(Tc)
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id 8.8A(Tc) 9A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1239pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17.5nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 4,265 309
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.762
100+ :  ¥3.146
1,000+ :  ¥2.86
2,000+ :  ¥2.739
30+ :  ¥2.068
100+ :  ¥1.595
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD09P10-195-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.8A(Tc) P-Channel 195 mOhms @ 3.6A,10V 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V

¥3.762 

阶梯数 价格
20: ¥3.762
100: ¥3.146
1,000: ¥2.86
2,000: ¥2.739
4,265 当前型号
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A

¥2.068 

阶梯数 价格
30: ¥2.068
100: ¥1.595
309 对比
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A

暂无价格 0 对比
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A

¥1.2455 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.2455
12,500: ¥1.1532
0 对比
RSD131P10TL ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥8.1834 

阶梯数 价格
20: ¥8.1834
50: ¥6.2574
100: ¥5.6153
300: ¥5.1841
500: ¥5.0979
1,000: ¥5.0308
2,500 对比
RSD131P10TL ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥8.1834 

阶梯数 价格
20: ¥8.1834
50: ¥6.2574
100: ¥5.6153
300: ¥5.1841
500: ¥5.0979
818 对比

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