SUD09P10-195-GE3 与 RSD131P10TL 区别
| 型号 | SUD09P10-195-GE3 | RSD131P10TL | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SUD09P10-195-GE3 | A33-RSD131P10TL-0 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 | ||||||||||||||||||||
| 描述 | Single P-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3 | |||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| 功率 | - | 850mW(Ta),20W(Tc) | ||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 195 mOhms @ 3.6A,10V | 200 毫欧 @ 6.5A,10V | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),32.1W(Tc) | - | ||||||||||||||||||||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8.8A(Tc) | 13A(Tc) | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4V,10V | ||||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2400pF @ 25V | ||||||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 40nC @ 10V | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 4,265 | 2,500 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SUD09P10-195-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.8A(Tc) P-Channel 195 mOhms @ 3.6A,10V 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V |
¥3.762
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4,265 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
¥2.068
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309 | 对比 | ||||||||||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
¥1.2455
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0 | 对比 | ||||||||||||||
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RSD131P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
¥8.1834
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2,500 | 对比 | |||||||||||||||
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RSD131P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
¥8.1834
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818 | 对比 |