SUD09P10-195-GE3 与 DMP10H400SK3-13 区别
| 型号 | SUD09P10-195-GE3 | DMP10H400SK3-13 | ||
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| 唯样编号 | A36-SUD09P10-195-GE3-1 | A36-DMP10H400SK3-13 | ||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Single P-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 195 mOhms @ 3.6A,10V | 240mΩ@5A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),32.1W(Tc) | 42W(Tc) | ||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK | ||
| 连续漏极电流Id | 8.8A(Tc) | 9A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1239pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 17.5nC @ 10V | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 10 | 44 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SUD09P10-195-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.8A(Tc) P-Channel 195 mOhms @ 3.6A,10V 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 10 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
￥1.52
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388 | 对比 | ||||||||||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
￥2.321
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44 | 对比 | ||||||||||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
￥1.2455
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0 | 对比 | ||||||||||||||
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RSD131P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥7.5222
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2,500 | 对比 |
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