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SUD08P06-155L-GE3  与  DMP6180SK3-13  区别

型号 SUD08P06-155L-GE3 DMP6180SK3-13
唯样编号 A36-SUD08P06-155L-GE3 A36-DMP6180SK3-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 155 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252 P-Channel 60 V 110 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet -TO-252-3 (DPAK)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 155 mOhms @ 5A,10V 110mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W(Ta),20.8W(Tc) 1.7W(Ta)
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id 8.4A(Tc) 14A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 984.7pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17.1nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 1,709 12,319
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.938
100+ :  ¥3.278
1,000+ :  ¥2.981
40+ :  ¥1.595
100+ :  ¥1.221
1,250+ :  ¥1.0615
2,500+ :  ¥1.001
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD08P06-155L-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.4A(Tc) P-Channel 155 mOhms @ 5A,10V 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252 -55℃~150℃ 60V

¥3.938 

阶梯数 价格
20: ¥3.938
100: ¥3.278
1,000: ¥2.981
1,709 当前型号
DMP6180SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.7W(Ta) 110mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 14A

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
1,250: ¥1.0615
2,500: ¥1.001
12,319 对比

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