尊敬的客户:中秋节9-25至9-27我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > STW70N60DM2代替型号比较

STW70N60DM2  与  IPW65R045C7FKSA1  区别

型号 STW70N60DM2 IPW65R045C7FKSA1
唯样编号 A36-STW70N60DM2-1 A36-IPW65R045C7FKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 446W(Tc) -
功率耗散(最大值) - 227W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4340pF @ 400V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id 66A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1.25mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 93nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 45 毫欧 @ 24.9A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 46A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5508pF @ 100V -
导通电阻Rds(On) 42mΩ@33A,10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 121nC @ 10V -
库存与单价
库存 34 241
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
3+ :  ¥24.108
2+ :  ¥48.36
10+ :  ¥43.176
240+ :  ¥42
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW70N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 66A(Tc) ±25V 446W(Tc) 42mΩ@33A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3

¥24.108 

阶梯数 价格
3: ¥24.108
34 当前型号
STWA72N60DM2AG STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247 车规

暂无价格 3,000 对比
STWA72N60DM2AG STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247 车规

暂无价格 0 对比
SIHG73N60E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±30V 520W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 600V 73A 39mΩ

暂无价格 0 对比
SIHG73N60E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±30V 520W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 600V 73A 39mΩ

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>
在
线
销
售

在线销售