STW45NM60 与 SIHG33N60E-GE3 区别
| 型号 | STW45NM60 | SIHG33N60E-GE3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STW45NM60 | A-SIHG33N60E-GE3 | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | N-Channel 650 V 0.11 Ohm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-247 | MOSFET | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | - | 5.31mm | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 98mΩ | ||||
| 上升时间 | - | 43ns | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 278W | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 103nC | ||||
| 栅极电压Vgs | - | 4V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 161ns | ||||
| 封装/外壳 | TO-247 | TO-247-3 | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 33A | ||||
| 系列 | - | E | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3508pF @ 100V | ||||
| 长度 | - | 15.87mm | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 150nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 下降时间 | - | 48ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 28ns | ||||
| 高度 | - | 20.82mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 20 | 50 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STW45NM60 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
TO-247 |
￥33.561
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20 | 当前型号 | ||||||
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 33A 278W 98mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 50 | 对比 | ||||||
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IRFP27N60KPBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
27A(Tc) N-Channel 220 mOhms @ 16A,10V 500W(Tc) TO-247-3 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 33A 278W 98mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
SIHG33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 33A 278W 98mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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