STW34N65M5 与 IPW65R110CFD 区别
| 型号 | STW34N65M5 | IPW65R110CFD | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STW34N65M5 | A-IPW65R110CFD | ||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | N-Channel 710 V 190 W 0.11 Ohm Flange Mount Mdmesh V MOSFET - TO-247 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | - | 5.21mm | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 110mΩ@12.7A,10V | ||
| 上升时间 | - | 11ns | ||
| 漏源极电压Vds | - | 650V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 277.8W(Tc) | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 118nC | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 68ns | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | PG-TO247-3 | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 31.2A(Tc) | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 系列 | - | CoolMOSCFD2 | ||
| 长度 | - | 16.13mm | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 下降时间 | - | 6ns | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 16ns | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3240pF @ 100V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 1.3mA | ||
| 高度 | - | 21.1mm | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 118nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 7 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW34N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
￥13.0086
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7 | 当前型号 | ||||
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IPW65R110CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 277.8W(Tc) 110mΩ@12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 31.2A(Tc) 650V PG-TO247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
SIHG24N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
24A(Tc) N-Channel 145 mOhms @ 12A,10V 250W TO-247-3 -55°C~150°C 650V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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