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STW26NM60N  与  TK16N60W,S1VF  区别

型号 STW26NM60N TK16N60W,S1VF
唯样编号 A36-STW26NM60N A-TK16N60W,S1VF
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 140 W 60 nC MDmesh Through Hole Mosfet - TO-247-3 MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V 600 V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 130W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 190 毫欧 @ 7.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1350 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.7V @ 790uA
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 38 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-247 TO-247
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A 15.8A(Ta)
系列 MDmesh™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
FET功能 - 超级结
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 108 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
7+ :  ¥7.227
10+ :  ¥5.555
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A

¥7.227 

阶梯数 价格
7: ¥7.227
10: ¥5.555
108 当前型号
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

¥6.886 

阶梯数 价格
8: ¥6.886
100: ¥5.511
1,000: ¥5.28
6,105 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 900 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPW60R165CPFKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R165CP_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
TK16N60W,S1VF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 130W(Tc) TO-247 150°C(TJ) 600 V 15.8A(Ta)

暂无价格 0 对比

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