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STW26NM60N  与  IPW60R165CPFKSA1  区别

型号 STW26NM60N IPW60R165CPFKSA1
唯样编号 A36-STW26NM60N A-IPW60R165CPFKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 140 W 60 nC MDmesh Through Hole Mosfet - TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 192W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247 TO-247-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 790uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
系列 MDmesh™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 165 毫欧 @ 12A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 21A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 108 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
7+ :  ¥7.227
10+ :  ¥5.555
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A

¥7.227 

阶梯数 价格
7: ¥7.227
10: ¥5.555
108 当前型号
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

¥6.886 

阶梯数 价格
8: ¥6.886
100: ¥5.511
1,000: ¥5.28
6,105 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 900 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPW60R165CPFKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R165CP_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
TK16N60W,S1VF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 130W(Tc) TO-247 150°C(TJ) 600 V 15.8A(Ta)

暂无价格 0 对比

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