STW26NM60N 与 FCH165N60E 区别
| 型号 | STW26NM60N | FCH165N60E | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STW26NM60N | A-FCH165N60E | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ON Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 600 V 140 W 60 nC MDmesh Through Hole Mosfet - TO-247-3 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 165mΩ@10A,10V | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 140W(Tc) | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||
| 封装/外壳 | TO-247 | TO-247-3 | ||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 20A | - | ||||
| 系列 | MDmesh™ II | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1800pF @ 50V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 548 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STW26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A |
￥7.326
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548 | 当前型号 | ||||||||
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STP26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc) |
暂无价格 | 12,000 | 对比 | ||||||||
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STP26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc) |
￥6.666
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2,455 | 对比 | ||||||||
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STP26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AOK27S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FCH165N60E | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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