首页 > 商品目录 > > > > STW19NM60N代替型号比较

STW19NM60N  与  SPW17N80C3  区别

型号 STW19NM60N SPW17N80C3
唯样编号 A36-STW19NM60N A-SPW17N80C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 13A TO247
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 290mΩ@11A,10V
上升时间 - 15ns
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 227W
Qg-栅极电荷 - 88nC
栅极电压Vgs - ±20V
典型关闭延迟时间 - 72ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 17A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC3
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 12ns
典型接通延迟时间 - 25ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2320pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 177nC @ 10V
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 240
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW19NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
R6020JNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G

¥64.6046 

阶梯数 价格
3: ¥64.6046
5: ¥35.2345
10: ¥29.5618
30: ¥25.7863
50: ¥25.0293
100: ¥24.4639
200: ¥24.1764
300: ¥24.0806
600 对比
SPW17N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPW17N80C3FKSA1_-55°C~150°C 800V 17A 290mΩ@11A,10V ±20V 227W N-Channel TO-247-3

暂无价格 240 对比
R6020JNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G

暂无价格 55 对比
R6020JNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G

¥64.6046 

阶梯数 价格
3: ¥64.6046
5: ¥35.2345
9 对比
R6020JNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售