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STS6NF20V  与  IRF7402TRPBF  区别

型号 STS6NF20V IRF7402TRPBF
唯样编号 A36-STS6NF20V A-IRF7402TRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 20 V 6A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 35mΩ@4.1A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 6.8A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STS6NF20V STMicro  数据手册 未分类

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