STS4DNF60L 与 DMN6040SSD-13 区别
| 型号 | STS4DNF60L | DMN6040SSD-13 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-STS4DNF60L | A36-DMN6040SSD-13 | ||||||||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | N-Channel 60 V 0.055 O 15 nC Surface Mount STripFET™ Power Mosfet - SOIC-8 | MOSFET | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 正向跨导-最小值 | - | 4.5 S | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 40mΩ | ||||||||||||||||
| 上升时间 | - | 8.1ns | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.7W | ||||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 22.4nC | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 1V | ||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 20.1ns | ||||||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 4.5S | ||||||||||||||||
| FET类型 | - | 2N-Channel | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | - | SO | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 5A | ||||||||||||||||
| 配置 | - | Dual | ||||||||||||||||
| 系列 | - | DMN6040 | ||||||||||||||||
| 通道数量 | - | 2Channel | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1287pF @ 25V | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 22.4nC @ 10V | ||||||||||||||||
| 下降时间 | - | 4ns | ||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 6.6ns | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 3,335 | 11,184 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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STS4DNF60L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥3.355
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3,335 | 当前型号 | |||||||||||||||||
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SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 15,030 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 5A 1.7W 40mΩ 60V 1V 2N-Channel |
￥1.43
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11,184 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥11.7577
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥11.7577
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700 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN6066SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
66mΩ@4.5A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 4.4A |
￥1.903
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545 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
