STS4DNF60L 与 SH8K32GZETB 区别
| 型号 | STS4DNF60L | SH8K32GZETB | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-STS4DNF60L | A3-SH8K32GZETB | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 60 V 0.055 O 15 nC Surface Mount STripFET™ Power Mosfet - SOIC-8 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | - | 8-SOIC | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4.5A(Ta) | ||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.4W(Ta) | ||||||||
| 栅极电荷Qg | - | 10nC@5V | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 65mOhms@4.5A,10V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V@1mA | ||||||||
| FET类型 | - | 2N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,335 | 15,030 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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STS4DNF60L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥3.355
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3,335 | 当前型号 | |||||||||||||||||
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SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 15,030 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 5A 1.7W 40mΩ 60V 1V 2N-Channel |
￥1.43
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11,184 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥11.7577
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) 2N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC 150°C(TJ) 60V |
￥11.7577
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700 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN6066SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
66mΩ@4.5A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 4.4A |
￥1.903
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545 | 对比 |
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