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STPSC406B-TR  与  IDD10SG60CXTMA1  区别

型号 STPSC406B-TR IDD10SG60CXTMA1
唯样编号 A36-STPSC406B-TR A-IDD10SG60CXTMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SBD肖特基二极管 SiC肖特基二极管
描述 STPSC406B Series 600 V 4 A Power Schottky Silicon Carbide Diode - TO-252 DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 DPAK TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Vr时电流-反向泄漏 - 90uA @ 600V
二极管类型 - 碳化硅肖特基
速度 - 无恢复时间 > 500mA(Io)
不同If时电压-正向(Vf) - 2.1V @ 10A
工作温度-结 - -55°C ~ 175°C
不同 Vr、F时电容 - 290pF @ 1V,1MHz
反向恢复时间(trr) - 0ns
电压-DC反向(Vr)(最大值) - 600V
电流-平均整流(Io) - 10A(DC)
库存与单价
库存 911 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
6+ :  ¥8.613
100+ :  ¥7.436
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STPSC406B-TR STMicro SBD肖特基二极管

DPAK

¥8.613 

阶梯数 价格
6: ¥8.613
100: ¥7.436
911 当前型号
IDD04SG60CXTMA1 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

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暂无价格 0 对比
IDD10SG60CXTMA1 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

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暂无价格 0 对比
IDD03SG60CXTMA1 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

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IDD05SG60CXTMA1 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

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IDD06SG60CXTMA1 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

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