STP80NF55-08 与 IRF1018EPBF 区别
| 型号 | STP80NF55-08 | IRF1018EPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STP80NF55-08 | A-IRF1018EPBF | ||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB | Single N-Channel 60 V 110 W 46 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 8.4mΩ@47A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 110W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB | ||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 79A | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 100µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2290pF @ 50V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 69nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 100µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2290pF @ 50V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 69nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 39 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP80NF55-08 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥5.313
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39 | 当前型号 | ||||
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IRFB7746PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 99W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10.6mΩ@35A,10V N-Channel 75V 59A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF1018EPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.4mΩ@47A,10V N-Channel 60V 79A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SUP90N06-6M0P-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.75W(Ta),272W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 60V 53A 5mΩ |
暂无价格 | 27 | 对比 | ||||
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|
SUP90N06-6M0P-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.75W(Ta),272W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 60V 53A 5mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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