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STP80NF55-06  与  IRF1405PBF  区别

型号 STP80NF55-06 IRF1405PBF
唯样编号 A36-STP80NF55-06 A-IRF1405PBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 55 V 6.5 mOhm Flange Mount STripFET II Power Mosfet - TO-220 Single N-Channel 55 V 330 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.3mΩ@101A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 330W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 169A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5480pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
库存与单价
库存 10 1,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
3+ :  ¥17.182
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP80NF55-06 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥17.182 

阶梯数 价格
3: ¥17.182
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N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

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¥14.6563 

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20: ¥14.6563
50: ¥12.2136
0 对比
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