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STP75NF20  与  IRFB4127PBF  区别

型号 STP75NF20 IRFB4127PBF
唯样编号 A36-STP75NF20 A-IRFB4127PBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 190 W 84 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 20mΩ@44A,10V
上升时间 - 18ns
Qg-栅极电荷 - 100nC
栅极电压Vgs - ±20V
正向跨导 - 最小值 - 79S
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 76A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 22ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5380pF @ 50V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds - 200V
Pd-功率耗散(Max) - 375W
典型关闭延迟时间 - 56ns
FET类型 - N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5380pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 150nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 17ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 150nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP75NF20 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRFB4227PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 330W(Tc) 24mΩ@46A,10V -40°C~175°C(TJ) N-Channel 65A 200V TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IPP320N20N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP320N20N3GXKSA1_200V 34A 28mΩ 20V 136W -55°C~175°C

暂无价格 500 对比
IRFB4127PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 76A 20mΩ@44A,10V ±20V 375W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRFB38N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFB260NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@34A,10V N-Channel 200V 56A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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