首页 > 商品目录 > > > > STP75NF20代替型号比较

STP75NF20  与  IRFB38N20DPBF  区别

型号 STP75NF20 IRFB38N20DPBF
唯样编号 A36-STP75NF20 A-IRFB38N20DPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 190 W 84 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3 Single N-Channel 200 V 0.054 Ohm 60 nC 3.8 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 54mΩ@26A,10V
漏源极电压Vds - 200V
Pd-功率耗散(Max) - 3.8W(Ta),300W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 38A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 91nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 91nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP75NF20 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRFB4227PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 330W(Tc) 24mΩ@46A,10V -40°C~175°C(TJ) N-Channel 65A 200V TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IPP320N20N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP320N20N3GXKSA1_200V 34A 28mΩ 20V 136W -55°C~175°C

暂无价格 500 对比
IRFB4127PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 76A 20mΩ@44A,10V ±20V 375W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRFB38N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFB260NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@34A,10V N-Channel 200V 56A TO-220AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售