STP6NK60ZFP 与 SPA06N80C3 区别
| 型号 | STP6NK60ZFP | SPA06N80C3 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-STP6NK60ZFP | A-SPA06N80C3 | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 宽度 | - | 4.85mm | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 780mΩ | ||||||
| 上升时间 | - | 15ns | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 800V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 39W | ||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 41nC | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 72ns | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 6A | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 系列 | - | CoolMOSC3 | ||||||
| 长度 | - | 10.65mm | ||||||
| 下降时间 | - | 8ns | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 25ns | ||||||
| 高度 | - | 16.15mm | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,000 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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STP6NK60ZFP | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
¥5.291
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1,000 | 当前型号 | ||||||||
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R8008ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 600 | 对比 | ||||||||
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R8008ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
¥39.7313
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100 | 对比 | ||||||||
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AOTF8N65 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 650V 30V 8A 50W 1150mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SPA06N80C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
800V 6A 780mΩ 20V 39W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRFIB6N60APBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
5.5A(Tc) N-Channel 750 mOhms @ 3.3A,10V 60W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
¥7.83
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0 | 对比 |