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STP60NF06  与  IRF1010EPBF  区别

型号 STP60NF06 IRF1010EPBF
唯样编号 A36-STP60NF06 A-IRF1010EPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB Single N-Channel 60 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12mΩ@50A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 200W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 84A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3210pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 840 1,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥4.587
100+ :  ¥3.663
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.587 

阶梯数 价格
20: ¥4.587
100: ¥3.663
840 当前型号
IRF1010EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@50A,10V N-Channel 60V 84A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRFZ44VPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 60V 55A 16.5mΩ 20V 115W N-Channel

暂无价格 1,000 对比
PSMN015-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-60PS_SOT78 N-Channel 86W 175℃ 3V 60V 50A

¥6.427 

阶梯数 价格
10: ¥6.427
50: ¥5.268
30 对比
PSMN7R6-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R6-60PS_SOT78 N-Channel 149W 175℃ 3V 60V 92A

¥8.6807 

阶梯数 价格
20: ¥8.6807
50: ¥7.1153
0 对比
AOT462L AOS 功率MOSFET

7A(Ta),35A(Tc) N-Channel ±20V 18 mΩ @ 30A,10V TO-220 2.1W(Ta),100W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比

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