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STP55NF06FP  与  IRFI1010NPBF  区别

型号 STP55NF06FP IRFI1010NPBF
唯样编号 A36-STP55NF06FP A-IRFI1010NPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 18 mO STripFET™ II Power MosFet - TO-220FP Single N-Channel 55 V 58 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220FPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12mΩ@26A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 58W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - TO-220AB
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 49A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP55NF06FP STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
IRFI1010NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 58W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12mΩ@26A,10V N-Channel 55V 49A TO-220AB

暂无价格 0 对比
AOTF2618L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 60V 20V 22A 23.5W 19mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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