STP40NF10 与 IRF3710ZPBF 区别
| 型号 | STP40NF10 | IRF3710ZPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STP40NF10-1 | A-IRF3710ZPBF | ||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB | Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC 160 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | - | 160W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB | ||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 59A | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2900pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 120nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2900pF @ 25V | ||
| 导通电阻Rds(On) | - | 18mΩ@35A,10V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 120nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 69 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP40NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
¥4.9275
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69 | 当前型号 | ||||
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PHP18NQ10T,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 90mΩ@10V 79W 175°C 3V 100V 18A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
PSMN015-100P,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 15mΩ@10V 300W 175°C 3V 100V 75A |
¥15.7926
|
0 | 对比 | ||||
|
IRFB59N10DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 25mΩ@35.4A,10V N-Channel 100V 59A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF3710ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@35A,10V N-Channel 100V 59A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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PSMN034-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 34.5mΩ@10V 86W 175°C 3V 100V 32A |
暂无价格 | 0 | 对比 |