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STP2NK60Z  与  IRFBC20PBF  区别

型号 STP2NK60Z IRFBC20PBF
唯样编号 A36-STP2NK60Z A3t-IRFBC20PBF-1
制造商 STMicroelectronics Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 4.4 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 45W -
Rds On(Max)@Id,Vgs 8 欧姆 @ 700mA,10V 4.4 Ohms @ 1.3A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
Vgs(th) - 4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 1.4A(Tc) 2.2A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 170pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V -
库存与单价
库存 674 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.507
50+ :  ¥1.155
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP2NK60Z STMicro  数据手册 未分类

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674 当前型号
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