STP26NM60N 与 SIHP22N60E-GE3 区别
| 型号 | STP26NM60N | SIHP22N60E-GE3 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-STP26NM60N | A36-SIHP22N60E-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 600 V 0.165 Ohm 60 nC 140 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 | E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Flange Mount Power Mosfet -TO-220AB | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 165mΩ@10A,10V | 180 mOhms @ 11A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 140W(Tc) | 227W(Tc) | ||||||||||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | 21A(Tc) | ||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±30V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1800pF @ 50V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 4,677 | 118 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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STP26NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc) |
￥6.16
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4,677 | 当前型号 | ||||||||
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IPP60R180P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 N-Channel 72W 180mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C ±20V 650V 18A |
暂无价格 | 500 | 对比 | ||||||||
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SIHP22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 227W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
￥6.842
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118 | 对比 |
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