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STP26NM60N  与  SPP20N65C3XKSA1  区别

型号 STP26NM60N SPP20N65C3XKSA1
唯样编号 A36-STP26NM60N A-SPP20N65C3XKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.165 Ohm 60 nC 140 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 208W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2400pF @ 25V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 114nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 13.1A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20.7A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 6,085 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
8+ :  ¥6.886
100+ :  ¥5.511
1,000+ :  ¥5.28
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

¥6.886 

阶梯数 价格
8: ¥6.886
100: ¥5.511
1,000: ¥5.28
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