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STP24N60DM2  与  IPP60R190P6  区别

型号 STP24N60DM2 IPP60R190P6
唯样编号 A36-STP24N60DM2 A33-IPP60R190P6-0
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@9A,10V 190mΩ
上升时间 - 8ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 150W(Tc) 151W
Qg-栅极电荷 - 37nC
栅极电压Vgs ±25V 10V
典型关闭延迟时间 - 45ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 18A 20.2A
系列 FDmesh™ II Plus CoolMOSP6
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1055pF @ 100V -
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 15ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 596 500
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
7+ :  ¥7.711
100+ :  ¥6.523
7+ :  ¥23.889
10+ :  ¥20.0273
50+ :  ¥17.7179
100+ :  ¥15.7823
500+ :  ¥15.7631
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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7: ¥7.711
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¥23.889 

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7: ¥23.889
10: ¥20.0273
50: ¥17.7179
100: ¥15.7823
500: ¥15.7631
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¥23.889 

阶梯数 价格
7: ¥23.889
10: ¥20.0273
50: ¥17.7179
100: ¥15.7823
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