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STP24N60DM2  与  IPP60R190P6XKSA1  区别

型号 STP24N60DM2 IPP60R190P6XKSA1
唯样编号 A36-STP24N60DM2 A-IPP60R190P6XKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 151W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@9A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 150W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1750pF @ 100V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220 TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 630u
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 10V
系列 FDmesh™ II Plus -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1055pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 7.6A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20.2A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 596 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
7+ :  ¥7.711
100+ :  ¥6.523
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