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STP160N3LL  与  IRL3713PBF  区别

型号 STP160N3LL IRL3713PBF
唯样编号 A36-STP160N3LL A-IRL3713PBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 3 mOhm Flange Mount HEXFET® Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 136W(Tc) 330W(Tc)
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
连续漏极电流Id 120A(Tc) 260A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5890pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 25V 5890pF @ 15V
导通电阻Rds(On) 3.2mΩ@60A,10V 3mΩ@38A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 4.5V 110nC @ 4.5V
库存与单价
库存 277 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.62
100+ :  ¥3.696
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP160N3LL STMicro  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 120A(Tc) ±20V 136W(Tc) 3.2mΩ@60A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3

¥4.62 

阶梯数 价格
20: ¥4.62
100: ¥3.696
277 当前型号
PSMN3R4-30PL,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT78 N-Channel 3.4mΩ@10V,4.1mΩ@4.5V 114W 175°C 1.7V 30V 100A

¥12.4286 

阶梯数 价格
50: ¥12.4286
0 对比
IRL3713PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@38A,10V N-Channel 30V 260A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRLB8743PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.2mΩ@40A,10V N-Channel 30V 150A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRF1503PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 75A(Tc) ±20V 330W(Tc) 3.3mΩ@140A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 对比
PSMN3R4-30PL,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT78 N-Channel 3.4mΩ@10V,4.1mΩ@4.5V 114W 175°C 1.7V 30V 100A

¥7.4112 

阶梯数 价格
1,000: ¥7.4112
2,000: ¥7.1148
0 对比

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