STP150N10F7 与 IRFB4310ZPBF 区别
| 型号 | STP150N10F7 | IRFB4310ZPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STP150N10F7-1 | A-IRFB4310ZPBF | ||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 110A TO220 | Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | - | 250W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB | ||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 127A | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6860pF @ 50V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 170nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6860pF @ 50V | ||
| 导通电阻Rds(On) | - | 6mΩ@75A,10V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 170nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 21 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP150N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥5.1186
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21 | 当前型号 | ||||||||||
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AOT292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 100V 20V 105A 300W 4.5mΩ@10V |
￥12.2449
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1,000 | 对比 | ||||||||||
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PSMN4R3-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 4.3mΩ@10V 338W 175°C 3V 100V 120A |
￥27.3375
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0 | 对比 | ||||||||||
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PSMN5R6-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 5.6mΩ@10V 306W 175°C 3V 100V 100A |
￥14.2334
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0 | 对比 | ||||||||||
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IRFB4310ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BUK755R4-100E,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 5.2mΩ@10V 349W 175°C 3V 100V 120A |
￥15.8856
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0 | 对比 |
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