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STP11NM60  与  IPP80R600P7  区别

型号 STP11NM60 IPP80R600P7
唯样编号 A36-STP11NM60 A-IPP80R600P7
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 600mΩ
Moisture Level - NA
漏源极电压Vds - 800V
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.5V,3.5V
Special Features - price/performance
FET类型 - N-Channel
Qgd - 8.0nC
Pin Count - 3.0 Pins
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
Mounting - THT
连续漏极电流Id - 8A
RthJC max - 2.1 K/W
工作温度 - -55°C~150°C
QG (typ @10V) - 20.0 nC
Ptot max - 60.0W
Budgetary Price €€/1k - 0.58
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP11NM60 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IPP80R600P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP80R600P7XKSA1_600mΩ 800V 8A TO-220 -55°C~150°C N-Channel 2.5V,3.5V

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