STP11NM60ND 与 SIHP12N60E-GE3 区别
| 型号 | STP11NM60ND | SIHP12N60E-GE3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STP11NM60ND | A3t-SIHP12N60E-GE3 | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | N-Channel 600 V 0.45 Ohm FDmesh™ II Power MosFet - TO-220 | E-Series N-Channel 600 V 147 W 0.38 O 58 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 147W | ||||
| 上升时间 | - | 19ns | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 29nC | ||||
| 栅极电压Vgs | - | 4V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 35ns | ||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 12A | ||||
| 系列 | - | E | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 937pF @ 100V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 58nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 下降时间 | - | 19ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 14ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 380mΩ | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 993 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP11NM60ND | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
￥11.868
|
993 | 当前型号 | ||||||
|
SIHP12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 12A 147W 380mΩ 600V 4V |
￥6.18
|
953 | 对比 | ||||||
|
|
SIHP12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 12A 147W 380mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
