STP11NK50Z 与 SiHP8N50D-GE3 区别
| 型号 | STP11NK50Z | SiHP8N50D-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STP11NK50Z | A3t-SiHP8N50D-GE3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | - | 8.7A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 850 mOhms @ 4A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 156W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| Vgs(th) | - | 5V @ 250uA |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP11NK50Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 2 | 当前型号 |
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AOT12N50 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 500V 30V 12A 250W 520mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOT13N50 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 500V 30V 13A 250W 510mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHP12N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 12A 208W 555mΩ 500V 5V TO-220AB-3 |
暂无价格 | 15 | 对比 |
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SiHP8N50D-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.7A(Tc) N-Channel 850 mOhms @ 4A,10V 156W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHP12N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 12A 208W 555mΩ 500V 5V TO-220AB-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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