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STP10NK60ZFP  与  IPAN60R800CE  区别

型号 STP10NK60ZFP IPAN60R800CE
唯样编号 A36-STP10NK60ZFP-1 A-IPAN60R800CE
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 0.75 Ohm Flange Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 750mΩ@4.5A,10V 800mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 35W(Tc) -
Rth - 4.6K/W
栅极电压Vgs ±30V 2.5V,3.5V
RthJA max - 80.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 8.9nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-220FP TO-220 FullPAK
Mounting - THT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C~150°C
连续漏极电流Id 10A 8.4A
系列 SuperMESH™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA -
Ptot max - 27.0W
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1370pF @ 25V -
QG - 17.2nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.28
库存与单价
库存 1,893 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.2572
50+ :  ¥1.7325
1,000+ :  ¥1.4454
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP10NK60ZFP STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 35W(Tc) 750mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 10A

¥2.2572 

阶梯数 价格
30: ¥2.2572
50: ¥1.7325
1,000: ¥1.4454
1,893 当前型号
SPA07N60C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA07N60C3_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPAN60R800CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPAN60R800CEXKSA1_800mΩ 600V 8.4A TO-220 FullPAK N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
IPA80R650CEXKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA80R650CE_N 通道 TO-220-3 整包 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPA07N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPA07N60C3XKSA1_600V 7.3A 600mΩ 10V 32W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPAN60R800CEXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPAN60R800CE_N 通道 TO-220-3 整包 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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