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STP100N8F6  与  IPP100N08S2-07  区别

型号 STP100N8F6 IPP100N08S2-07
唯样编号 A36-STP100N8F6 A-IPP100N08S2-07
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ 7.1mΩ
上升时间 46ns 51ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 100nC -
栅极电压Vgs 2V 20V
封装/外壳 TO-220-3 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A 100A
配置 Single Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 21ns 30ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5955pF @ 25V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 80V 75V
Pd-功率耗散(Max) 176W 300W
典型关闭延迟时间 103ns 61ns
FET类型 - N-Channel
系列 STP100N8F6 -
通道数量 1Channel 1Channel
典型接通延迟时间 33ns 26ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP100N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V

暂无价格 0 当前型号
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

暂无价格 12,000 对比
AOT288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 9.2mΩ@10V

¥7.1429 

阶梯数 价格
1: ¥7.1429
100: ¥5.1471
500: ¥4.4304
1,000: ¥3.5
1,000 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

¥3.85 

阶梯数 价格
20: ¥3.85
100: ¥3.08
117 对比
STP110N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A

暂无价格 0 对比
IPP100N08S2-07 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP100N08S207AKSA1_75V 100A 7.1mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 对比

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